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DS1737 【メモリ開発設計エンジニア】 次世代大容量・高速不揮発性メモリの開発  /  ソニー株式会社

ジョブNo.99191
職種 DS1737 【メモリ開発設計エンジニア】 次世代大容量・高速不揮発性メモリの開発
社名 ソニー株式会社
業務内容 次世代大容量・高速不揮発性メモリの開発
・次世代不揮発性メモリデバイス開発エンジニア(新材料を最先端プロセスに導入するプロセスインテグレーション)
・次世代不揮発性メモリ製品設計エンジニア(システム・デバイスを連携・把握し大容量・高性能不揮発性メモリを実現する製品設計)
求める経験 ※応募時に顔写真が必要です。
半導体メモリデバイス開発経験またはメモリ回路設計経験
英語:海外の協業先と意思疎通できること。
■尚可:
不揮発性メモリ開発経験、次世代新規メモリ開発経験
勤務地
神奈川県
年収 500万円~

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